Kaバンド非対称ドハティ電力増幅器
| プロセス | 65nm CMOS |
| 動作周波数(GHz) | 35-41 |
| ゲイン(dB)@10GHz | 25 |
| 38GHzにおけるPsat(dBm) | 23.3 |
| OP1dB (dBm) @38GHz | 22.4 |
| PAEmax(%) @38GHz | 28.2 |
| コア面積(mm²) | 0.26 |
0.26 mm²というコンパクトなフットプリントを持つこの65nm CMOSドハティ型パワーアンプは、高効率(PAE 28.2%)と優れた直線性を実現しています。35~41GHz帯に最適化されており、コスト効率の高い5Gミリ波および衛星フェーズドアレイ用途に最適です。
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