Xバンド高利得低雑音増幅器
| プロセス | 65nm CMOS |
| 動作周波数(GHz) | 8.5~11.5 |
| ゲイン(dB)@10GHz | 22.9 |
| 雑音指数(dB)@10GHz | 2.8 |
| 消費電力(mW) | 49 |
| コア面積(mm²) | 0.24 |
この65nm CMOS LNAは、超小型0.24mm²設計で、22.9dBの高利得と49mWの低消費電力を実現しています。優れた信号感度と効率的な集積化を可能にするため、コスト効率の高いXバンドフェーズドアレイレーダー、衛星通信受信機、および無線システムに最適なソリューションです。
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