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Xバンド高利得低雑音増幅器

Xバンド高利得低雑音増幅器 このアンプは、最小限のノイズで優れた信号増幅を実現するように設計されており、要求の厳しいアプリケーションでも高忠実度性能を保証します。Xバンド周波数帯域で動作するこのアンプは、低ノイズ指数を維持しながら大きなゲインを提供するため、レーダー、衛星通信、および高度な電子戦システムに最適です。コンパクトな設計、高い直線性、およびさまざまな環境条件下での安定した動作により、信頼性の高い性能が保証され、重要な高周波アプリケーションにおけるシステム感度と全体的な信号品質が向上します。


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    プロセス 65nm CMOS
    動作周波数(GHz) 8.5~11.5
    ゲイン(dB)@10GHz 22.9
    雑音指数(dB)@10GHz 2.8
    消費電力(mW) 49
    コア面積(mm²) 0.24

    この65nm CMOS LNAは、超小型0.24mm²設計で、22.9dBの高利得と49mWの低消費電力を実現しています。優れた信号感度と効率的な集積化を可能にするため、コスト効率の高いXバンドフェーズドアレイレーダー、衛星通信受信機、および無線システムに最適なソリューションです。

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